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2023年12月21日
Interface編集部
外部のシャント抵抗が不要のゲート・ドライバ内蔵GaN FET LMG3622
日本テキサス・インスツルメンツは，高精度の電流センシング機能を内蔵することで，外部のシャント抵抗を不要にしたゲート・ドライバ内蔵GaN FETを発売した．従来のディスクリートのGaNやシリコンFET と組み合わせて使用する電流センシング回路に比べ，シャント抵抗で発生する電力損失を最大94%削減できる．シャント抵抗で発生する電力損失を削減できるので，アダプタの発熱量を低減することが可能となる．パッケージは，8× 5.3mmの38ピンQFN．評価基板も提供される．
■参考価格：3.18ドル(1,000個購入時の単価)
■日本テキサス・インスツルメンツ(同)
